接近開關(guān)balluff操作簡(jiǎn)單BES00EF

接近開關(guān)balluff操作簡(jiǎn)單BES00EF

巴魯夫的快速 BIR 感應(yīng)式位移測(cè)量系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn) 10 kHz 的測(cè)量速率。

在各類開關(guān)中，有一種對(duì)接近它物件有"感知"能力的元件--位移傳感器。利用位移傳感器對(duì)接近物體的敏感特性達(dá)到控制開關(guān)通或斷的目的，這就是接近開關(guān)。

電感線圈和電容及晶體管組成振蕩器，并產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng)，當(dāng)有金屬物體接近這一磁場(chǎng)時(shí)就會(huì)在金屬物體內(nèi)產(chǎn)生渦流，從而導(dǎo)致振蕩停止，這種變化被后極放大處理后轉(zhuǎn)換成晶體管開關(guān)信號(hào)輸出。

當(dāng)有物體移向接近開關(guān)，并接近到一定距離時(shí)，位移傳感器才有"感知"，開關(guān)才會(huì)動(dòng)作。通常把這個(gè)距離叫"檢出距離"。但不同的接近開關(guān)檢出距離也不同。

這種開關(guān)有時(shí)也叫電感式接近開關(guān)。它是利用導(dǎo)電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)接近開關(guān)時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用到接近開關(guān)，使開關(guān)內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)導(dǎo)電物體移近，進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是導(dǎo)電體。

有時(shí)被檢測(cè)驗(yàn)物體是按一定的時(shí)間間隔，一個(gè)接一個(gè)地移向接近開關(guān)，又一個(gè)一個(gè)地離開，這樣不斷地重復(fù)。不同的接近開關(guān)，對(duì)檢測(cè)對(duì)象的響應(yīng)能力是不同的。這種響應(yīng)特性被稱為"響應(yīng)頻率"。

該系統(tǒng)的特點(diǎn)是測(cè)量范圍大、可調(diào)節(jié)，外殼緊湊、平整，盲區(qū)小，信號(hào)穩(wěn)定性高。

電渦流徑向形成的范圍大約在傳感器線圈外徑ras的1.8~2.5 倍范圍內(nèi), 且分布不均勻

)電渦流密度在短路環(huán)半徑r=0處為零

電渦流的值在r=ras附近的一個(gè)狹窄區(qū)域內(nèi)

可以用一個(gè)平均半徑為ras(ras=(ri+ra)/2)的短路環(huán)來(lái)集中表示分散的電渦流(圖中陰影部分)

測(cè)量系統(tǒng)的技術(shù)參數(shù)和機(jī)械原理是為滿足工業(yè)領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的要求而專門開發(fā)的。

此外，BIR 還包括內(nèi)部狀態(tài)監(jiān)測(cè)傳感器，使其成為巴魯夫智能自動(dòng)化和制造系統(tǒng)（SAMS）的一部分。

它已經(jīng)為 IIoT 和未來(lái)的做好了準(zhǔn)備。

產(chǎn)品型號(hào):

 BES M08EC-PSC15B-S49G BES013N

BES M08EE-PSC15B-S04G BES0146

BES M08EH-PSC15B-S04G BES01PF 

BTL7 S567-M0320-B-KA05

BES 516-300-S135-D-PU-05

BHS B135V-PSD25-S04-003

BES M18ME-PSC50B-BP00,2-GS04

BES 516-300-S135-D-PU-20

BES M12MI-PSC40B-S04G

BCC032K

BHS0021，BES 516-300-S162-S4-D

BNS 819-100-K-11

BES M12MG-USC30B-BV03

BGL0016 BGL 30A-001-S49

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